（以下内容从开源证券《电子行业点评报告：存储行业跟踪报告――AI需求持续高景气，存储涨价仍在进行时》研报附件原文摘录）
核心观点:价格周期 AI产业趋势 关税多重共振，存储芯片价格有望持续上涨
据DRAMeXchange1数据，5/6月份DRAM和NAND价格维持涨势。供给端看，2025年以来各大存储厂商均发布减产计划，需求端看，海外云厂商资本开支维持较高水平，**云厂商资本开支持续加码，持续饱满的算力需求将拉动存储市场持续扩容。此外，关税等外部环境亦对存储芯片价格产生了**影响，综上我们认为在存储步入价格上行周期 AI产业趋势持续深化 关税的多重影响下，存储芯片价格有望持续上涨。
原厂减产叠加关税推动存储芯片价格持续上涨
DRAM和NAND闪存芯片的平均市场价格均呈现上涨趋势。DRAM方面，5月8GB DDR4内存颗粒的价格现已升至2.10美元，相比4月份的1.65美元上涨约27%，6月份DDR4维持涨势，据半导体产业纵横公众号数据，美光6月DDR4报价大幅跳涨50%，三星8GB DDR4的现货价格已达到4.8美元，明显高于3.3美元左右的平均现货价格，从现货市场看，近期DDR416Gb已涨价至6美元，超过DDR5同规格的5.8美元市场行情。同时韩**存公司三星和SK海力士已明确通知客户停止DDR4的生产，据TrendForce数据，受DRAM主要供应商将逐渐收敛server和PC DDR4产出，加上美国关税导致买方提前备货等因素，第二季server与PC DDR4价格上涨，预期涨幅将分别季增18%～23%和13%～18%。NAND方面，5月用于记忆卡和USB的128GB NAND平均价格达2.92美元，较4月上涨4.84％。我们认为原厂减产叠加关税将推动存储价格持续上涨。
存力在AI产业链中至关重要，AI产业浪潮推动存储芯片需求提升
存储模组方面，存储模组是数据**及服务器的关键组成部分，全球视角上看，海外云厂商资本开支维持较高水平，饱满的服务器需求有望推动存储模组市场持续扩容，从**市场看来，**云厂商资本开支持续加码，**算力芯片出货量持续提升，国产存储模组有望迎来市场规模提升及国产化率提升的双击；GDDR方面，HBM采用TSV技术堆叠DRAM die以大幅提升I/O数，再配合2.5D先进封装制程，在维持较低内存**的同时达到更显著的总通道宽度提升，目前已广泛应用于各类算力芯片中；利基存储方面，随边缘端算力发展，NPU 3DRAM或成为产业趋势，此外AI端侧亦将拉动Nor Flash等利基存储需求。
受益标的
（1）存储模组厂商：德明利、江波龙、佰维存储、香农芯创；（2）先进存储厂商：兆易创新、恒烁股份等；（3）边缘侧Nand/Nor flash厂商：兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份、恒烁股份、聚辰股份等。
风险提示：AI行业发展不及预期、下游需求不及预期。
